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英特尔与美光研发出基于3D Xpoint架构的突破性存储技术

来源：时间：2016-03-07

北京时间7月29日上午8点英特尔与美光全球同步发布：双方共同研发最新的存储技术--基于3D Xpoint架构闪存技术，这是一款突破性全新的（NON-V）非易失性存储器。

相对于目前的NAND超出1000倍的速度、超出1000倍的耐用性，此外，相比传统存储器，该存储器技术的存储密度也提升高达10倍。（NAND是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。）也是自1989 年NAND闪存推出至今的首款基于全新技术的非易失性存储器。

交叉点结构实现高可扩展独特的材料实现了更高性能

3D XPoint 技术点包括：

交叉点阵列结构——垂直导线连接着 1280 亿个密集排列的存储单元。每个存储单元存储一位数据。借助这种紧凑的结构可获得高性能和高密度位。

可堆叠——除了紧凑的交叉点阵列结构之外，存储单元还被堆叠到多个层中。目前，现有的技术可使集成两个存储层的单个芯片存储128Gb数据。未来，通过改进光刻技术、增加存储层的数量，系统容量能够获得进一步提高。

选择器——存储单元通过改变发送至每个选择器的电压实现访问和写入或读取。这不仅消除了对晶体管的需求，也在提高存储容量的同时降低了成本。

快速切换单元——凭借小尺寸存储单元、快速切换选择器、低延迟交叉点阵列和快速写入算法，存储单元能够以高于目前所有非易失性存储技术的速度切换其状态。

3D Xpoint架构闪存为数据库提供大规模的内存应用，可以提供更快的系统恢复，同时提供更低延迟更长耐久性。应用环境比如机器学习、实时跟踪疾病和身临其境的8K游戏等等。